در این مقاله تابش از آرایه مجبری شکافدار مسطح (دو بعدی) مورد تحلیل قرار گرفته و توسعه داده شده است. در این روش اثر تزویج متقابل و ضخامت دیواره های موجبر منظور گردیده است. این مساله ابتدا به صورت معادلات انتگرالی و به کمک اصل هم ارزی فرمول بندی شده و سپس این معادلات به روش ممان حل شده است. برای این منظور از توابع پایه سینوسی فراگیر و روش گلرکین استفاده شده است. در این توابع پایه تنها چند جمله بر...

فناوری siw جایگزین مناسبی برای موجبرها در مدارهای صفحه ایی است .فناوری siw به دلیل مزایایی همچون ضریب کیفیت بالا، هزینه پایین، اندازه کوچک و قابلیت پیاده سازی هم ¬زمان با مدارات صفحه ایی، نسبت به دیگر مدارات مایکرویو مورد توجه بیشتری قرار گرفته است. در واقع siw مصالحه ای میان ضریب کیفیت، توان قابل تحمل، ابعاد، هزینه و یکپارچگی ادوات ساخته شده میباشد. اخیراً بسیاری از کاربردهای مدارهای siw از جمل...

در این پایان نامه آنتن های موجبری شکافدار منطبق بر مدارات مجتمع (siw antenna) و همچنین کاربرد اصلی آن به عنوان یک آنتن آرایه ای را مورد بررسی قرار گرفت. آنتن موجبری شکافدار استاندارد بر اساس روش جدید (optimized-classic) طراحی می گردد. این روش نه تنها اثرات تزویج از شکاف های همسایه را مورد بررسی قرار می دهد بلکه مودهای مرتبه بالاتری که از برخورد موج ورودی به شکاف ها حاصل می شود را نیز در نظر می ...

در این مقاله تابش از آرایه مجبری شکافدار مسطح (دو بعدی) مورد تحلیل قرار گرفته و توسعه داده شده است. در این روش اثر تزویج متقابل و ضخامت دیواره‌های موجبر منظور گردیده است. این مساله ابتدا به صورت معادلات انتگرالی و به کمک اصل هم ارزی فرمول بندی شده و سپس این معادلات به روش ممان حل شده است. برای این منظور از توابع پایه سینوسی فراگیر و روش گلرکین استفاده شده است. در این توابع پایه تنها چند جمله ب...

روش¬های متعددی برای افزایش بهره¬ی آنتن وجود دارد. این روش ها با استفاده از، آرایه¬ای کردن آنتن و یا با تغییر در ابعاد آنتن صورت گرفته است. استفاده از لنز، روشی دیگر جهت افزایش بهره¬ی آنتن می باشد. لنز ها دارای انواع بسیار متنوعی می باشند. لنزی که در این مقاله مورد بررسی و طراحی قرار می گیرد، از نوع لنزهای مسطح است که ضریب دی الکتریک آن در راستای عرضی به صورت چند لایه¬ای می باشد. شبیه سازی این س...

یک شکاف باریک در دیواره پهن موجبر مستطیلی به کمک روش ممان تحلیل شده است . در این روش اثر القای مجدد روی دیواره ها و ضخامت دیواره موجبر لحاظ شده است . در واقع روش ممان برای حل یک جفت معادله انتگرالی- حاصل از شرایط مرزی و بکمک توابع گرین - بکار رفته است . در نتیجه حل این دو معادله، مولفه مماسی میدان الکتریکی روی سطوح بالایی و پایینی شکاف بدست آمده است . این میدان ها با یک سری تابع سینوسی بسط شده ...

هدف از این پایان نامه طراحی، شبیه سازی و ساخت آنتن آرایه ای شکافی با استفاده از ebg (باند ممنوعه الکترومغناطیسی) برای کاهش تزویج متقابل در باند x است و از قطعات تجاری موجود در بازار ایران استفاده شده است. متوقف کردن امواج سطحی روی آنتن، ایجاد توزیع میدان یکنواخت در زیرلایه موجبری یکپارچه (siw)، افزایش بهره آنتن و کاهش تزویج متقابل بین عناصر تشعشعی مهمترین موضوع در طراحی آنتن های آرایه ای است. د...

در این رساله تغییرات رفتار تشعشعی آنتن شکافدار موجبری در حضور تیغه ای از فرامواد مورد ‏بررسی قرار گرفته است. دیده می شود که با قرار دادن این تیغه بر روی آنتن و با انتخاب صحیح ‏ضریب شکست و ضخامت آن، می توان جهت دهی را بهبود بخشید. به منظور این کاربرد و ‏کاربردهای دیگر، ساختارهای جدیدی از فرامواد ارائه شده است که هدف هریک بهبود یک یا چند ‏مشخصه از این مواد بوده است. سعی شده است که خواص ساختارهای ...

در سالهای اخیر آنتن های شکافدار با محفظه ی تشدید siw به علت داشتن ویژگی هایی مانند حجم کم، ارزان قیمت بودن و قابلیت ادغام با مدارات مسطح بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. استفاده از فناوری siw امکان پیاده سازی تمام آنتن را شامل محفظه ی تشدید و المان تغذیه بر روی یک زیرلایه می دهد. این آنتن ها عملکرد تشعشعی خوبی در مقایسه با آنتن های شکافدار با محفظه ی تشدید متداول را دارند، اگرچه حجم آن ها بطور ق...

آنتن شکافدار ساختاری تشعشع کننده است که از یک شکاف کوچک روی یک صفحه هادی با ابعاد وسیع تشکیل میگردد. یکی از انواع آنتنهای شکافدار، آنتن شکافدار موجبری است که در آن شکافها روی دیوارههای یک موجبر، که غالباً مستطیلی است، ایجاد میگردند. در این پایان نامه، ابتدا با مفاهیم کلی موجبرهای مستطیلی و شکافهای تشعشع کننده آشنا میشویم. در ادامه چندین ساختار متداول برای تشعشع توان الکترومغناطیسی، با پلاریزاسیو...